Pesquisa

Pesquisadora do DF publica trabalho na Revista Nanoletters

Trabalho de colaboração cientifíca entre Tampere University of Technology (Finlândia), Departamento de Engenharia Elétrica da UFSCAR e Departamento de Física da UFSCAR foi recentemente publicado na revista Nanoletters. Neste trabalho, foi desenvolvido um novo método de controle de direção de crescimento de nanofios semicondutores de GaAs e investigado as propriedades estruturais destes nanofios .Utilizamos um método robusto e altamente controlável para a mudança determinística da direção de crescimento de nanofios de GaAs auto-catalisados. O método é baseado na modificação da interface gota-nanofio (líquido-sólido) no estágio de aneealing, sem quaisquer fluxos, e subsequente crescimento na direção horizontal por um mecanismo de mediação dupla com indicações de um novo tipo de oscilações de interface. Um rendimento de 100% da mudança da direção de crescimento do nanofio de vertical para horizontal foi obtido através da otimização sistemática dos parâmetros de crescimento. É interessante ressaltar que o trabalho foi financiado apenas por um projeto regular Fapesp coordenado pelo Prof Helder Vinicius Avanço Galeti do Departamento de Engenharia Elétrica da UFSCAR e conta com a colaboração da Profa Yara Galvão Gobato do Departamento de Física da UFSCAR. Em particular, a equipe da UFSCAR contribuiu principalmente na analise e na realização de medidas TEM ("transmission eletron microscopy") usando a infraestrutura do Laboratório de Caracterização Estrutural (LCE) do Departamento de Engenharia de Materiais (DEMa) da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar).

Link da publicação: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.8b03365