Pontos Quânticos

Superciclos e "tipping buckets nanoscópicos" com transistores a base de pontos quânticos
 
Como resultado de colaboração bi-lateral entre a Universidade Federal de São Carlos e a Universidade de Wurzburg, alunos e professores das respectivas instituições conseguem elaborar proposta de sistema nanoscópico com memória que permite a realização de operações matemáticas e emular funcionalidades de sistemas neurais.
 
O último trabalho nesta linha acaba de ser aceito na revista Nano Letters:
 
 
Neste trabalho demonstramos as potencialidades de transistors a base de pontos quânticos onde se explora um efeito que chamamos de "tipping bucket nanoscópico" que permite executar e processar padrões complexos de lógica e funções diretamente na memória. Nossa abordagem é completamente nova e inesperada na literatura e cria um novo paradigma para futuras aplicações baseadas em funcionalidades de memória com impacto em física, nanotecnologia e engenharia.
 
Existe atualmente forte interesse em elementos passivos de dois terminais com efeitos inerentes de memória: memristores, memcapacitores e meminductores. A descoberta desses novos elementos é de suma importância no campo da eletrônica, pois pode levar ao desenvolvimento de novos tipos de dispositivos e circuitos computacionais devido às unidades de memória estarem combinadas com processamento lógico, oferecendo menor complexidade de circuitos e menor dissipação de energia. Particularmente em nossos dispositivos, as funcionalidades de memória foram explicadas em termos da peculiar dinâmica de carga e descarga de pontos quânticos que controlam a condutância do transistor e que gera padrões de corrente com periodicidade modulável quando submetido a pulsos de voltagem (ou luz).
 
Este trabalho recebeu o financiamento das agências brasileiras FAPESP (Procs. 2012/13052−6, 2012/51415−3, e 2014/02112-3), CNPq e CAPES.
 
Outros trabalhos do Grupo de Nanoestruturas Semicondutoras da UFSCar publicados nesta linha de pesquisa podem ser encontrados em:
 

http://dx.doi.org/10.1063/1.4955464

http://dx.doi.org/10.1063/1.4963830

https://doi.org/10.1109/TCSII.2016.2530378