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Pesquisa

Trabalho de colaboração cientifíca entre Tampere University of Technology (Finlândia), Departamento de Engenharia Elétrica da UFSCAR e Departamento de Física da UFSCAR foi recentemente publicado na revista Nanoletters. Neste trabalho, foi desenvolvido um novo método de controle de direção de crescimento de nanofios semicondutores de GaAs e investigado as propriedades estruturais destes nanofios .Utilizamos um método robusto e altamente controlável para a mudança determinística da direção de crescimento de nanofios de GaAs auto-catalisados.

Eleições de Chefe/Vice-chefe, Representantes da Graduação e Pós-graduação

Prezados Professores, TAs e Discentes,

Conforme aprovado pelo CD/DF em sua 213ª Reunião Ordinária realizada em 08 de novembro de 2018, encontra-se aberto o processo eleitoral para a escolha do Chefe e Vice-Chefe do Departamento de Física (DF) da UFSCar para o biênio de 2019/2020, e dos representantes discentes da graduação e da pós-graduação no Conselho do Departamento, para um mandato de 1 ano.

NTSD

Paulista-Bavarian Workshop on Nano-Tailored Semiconductor Devices

O evento tem como objetivo reunir especialistas líderes e jovens pesquisadores da Baviera e do Estado de São Paulo na apresentação de novidades para a fabricação, caracterização e simulação teórica de semicondutores produzidos por nanotecnologia.

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